东芝黑科技 NAND闪存颗粒竟能做到64层

2016-07-20 05:49:00 来源: 中关村在线 举报
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(原标题:东芝黑科技 闪存颗粒竟能做到64层!)

众所周知,闪存层数越多,闪存容量越大。此前三星品牌存储的3D V-NAND已经堆到了惊人的48层,工艺精良,不过据《日经亚洲评论》报道,东芝正在谋划多达64层的NAND闪存,比三星多三分之一!

东芝黑科技 闪存颗粒竟能做到64层!

三月底之前,东芝公司将会投产最新一代的3D闪存,这将领先于闪存老对手三星电子。

近日东芝因为财务丑闻,公司运营陷入了艰难境地,东芝也希望自己占据技术优势的闪存业务,能够提振全公司的表现。

据报道,在东芝和三星电子目前生产的闪存芯片中,在垂直方向上一共使用了48层芯片,层数的增加,意味着在单位的面积内,闪存芯片的数据容量更大。目前智能手机朝着超薄化发展,手机内部空间十分宝贵,因此闪存芯片密度的提升,对于手机产业有着积极的意义。

三星则可能会在2017年下半年启用位于韩国京畿道平泽市的新工厂,生产自己的64层闪存,但官方尚未明确表态。

netease 本文来源:中关村在线 责任编辑:俞晨飞_NT2780
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