台积电设计与技术平台部门副主管Willy Chen谈论了该公司“从16nm到16nm+”工艺的流程,称之可因Fins形状的改变而提升性能,然后再是10nm的制程。在10nm节点上,晶体管密度将达到原16nm设计的110%。
这家台湾芯片制造商此前已携ARM作出了联合公告,表明了它们从16nm到10nm工艺的生产愿景。
台积电基础设计与市场营销部门高级总监Suk Lee近期也透露了更多有关10nm制程将于今年晚些时候完成验证、并从2017年开始量产出货的消息。
该声明表明该公司仍在朝着这个目标继续努力。
[编译自:TechReport , 来源:Nikkei , via]