iNAND 7232升级至eMMC 5.1接口,采用新的15nm工艺TLC NAND,容量从32GB起步,往上还有64GB和128GB,根据容量不同会搭配500MB至1GB容量的SLC缓存用于加速。支持命令队列,可提升随机I/O读取性能。
作为对比,上一代的iNAND 7132方案为eMMC 5.0 HS400接口,采用1Ynm TLC NAND,容量16GB起步,往上是32GB和64GB,同样拥有SmartSLC技术。
性能方面,iNAND 7232连续读取性能是280MB/s,和iNAND 7132一样,而连续写入性能则从125MB/s提高到150MB/s。另外,新的eMMC 5.1接口还支持命令队列技术,这将会为iNAND 7232带来更好的随机读取性能。
或许大家会联想到三星和SK Hynix的UFS 2.0接口闪存方案,这种方案性能更加暴力,不过闪迪的iNAND 7232要解决的是那些想要高性能的同时又希望成本能尽量低的需求,定位是不一样的。闪迪目前已经向合作伙伴送出iNAND 7232测试样品,相信搭载这种方案的产品将会在秋季陆续发布。