TLC短命纯系谣言 三星850 EVO狂写400TB

（原标题：TLC短命纯系谣言 三星850 EVO狂写400TB）

随着成本的降低，SSD逐渐想主流用户市场普及，特别是TLC SSD的推出，连最后的容量问题也得到了一并解决。不过TLC由于单位Cell要存储更多的数据，其寿命相对传统的MLC产品来说要低出数倍，标准的TLC耐久寿命通常只有1000 PE，为此我们选择了市场上典型的TLC产品850 EVO做了简单的耐久测试，以验证TLC的真实寿命。

寿命问题

TLC最让人担忧的无疑是其写入寿命，在耐久之前笔者也是抱着怀疑的态度，特别是在初期，我们每次的测试间隔仅为50TB，依次经历了50TB、100TB、150TB、200TB，直至400TB的耐久测试。测试三星850 EVO SSD的序列号为S21MNWAFB00118E。

耐久测试前的全新850 EVO 250GB SSD

50TB耐久写入

100TB耐久写入

150TB耐久写入

200TB耐久写入

400TB耐久写入

在写入完200TB数据后，三星这块850 EVO SSD已经顺利的完成了1000 PE，为此后面的测试我们直接将其写入数据翻倍至400TB，耐久写入时间也达到了前面所有测试阶段的总和。

400TB耐久写入完成无写入错误

不过最终400TB数据写完后，TLC SSD的耐久问题并没有出现，要知道这一数据已经达到了TLC闪存标称PE的两倍。所以TLC的写入寿命远没有我们想象的那么脆弱，实际上以400TB来计算，即使每天写入100GB的数据，每天不间断完成数据写入，也需要11.2年才能写入400TB的数据，显然我们勿须担心寿命的问题。

掉速问题

当然SSD的长时间写入也会影响其后续的读写速率，毕竟SSD相比传统HDD最大的优势就是读写速率，如果没有高速的读写优势，那么SSD的优势就荡然无存，TLC SSD的耐久写入数据掉速是否影响用户实际体验呢？

耐久测试前的读写性能

400TB耐久写入后的读写性能

    从上面的CrystalDiskMark测试数据来看，耐久测试前三星850 EVO SSD的持续读写性能分别为548.6MB、s、526.5MB/s，而400TB写入完成后，其持续读写性能分别为549.2MB/s和525.6MB/s，读写性能基本保持一致，并没有出现下降。

4K随机读写性能方面，耐久写入之前分别为33.31MB/s、125.9MB/s，400TB耐久写入完成后，4K读写成绩分别为23.23MB/s和125.6MB/s，4K随机写入下降了约10MB/s，而读取性能基本没受到影响。

测试小结

通过上面的测试数据来看，TLC SSD的寿命问题基本不用担心，实际测试完成标称耐久2倍的数据写入量并没有让SSD崩溃，相反后续的读写性能还有不错的表现，持续读写性能并没有受到影响，只是4K随机写入性能出现了一定的性能下降。

TLC SSD出色的性价比使其成为市场主流的关键，同时性能也有不错的表现，在寿命问题被剔除后，用户便没有了后顾之忧，是时候普及了！