慧荣科技“产品技术革新”引领主控芯片

（原标题：慧荣科技“产品技术革新”引领主控芯片）

10月28日慧荣科技在北京专门举行了关于3DNAND及PCLENVmeSSD新生太产品的交流会。产品经理黄莨展先生说，在世界万物互联的大环境下嵌入式储存技术迫切需要改进，我们已经针对主控芯片做出了新一代的技术革新，包括，稳定性，高速度，大存储，高效的运转速率，做出了极大的改进，预计3DNAND即将带动SSD市场将是一次全球性的爆发式增长。

慧荣科技“产品经理”黄莨展先生

新一代的控制芯片意味着又重新站在了历史的新台阶上，目前由因特尔定制的NVMe接口标准，已经逐步得到了各大厂商的支持启用新的接口标准，这更加让PCLESSDD产品呈现出全新的高速度标准展现在世人面前，慧荣科技产品经理黄莨展先生表示，新生代的SSD产品价格方面，将会逐渐拉近传统的市场化，而且要和目前的硬盘市场的规模化拉近距离，让更多的消费者认识到新生代产品的可靠性，价格更低，寿命更长，速度更快，容量更大的优点，不久的将来，SSD将成为消费者的普遍需求和最优的选择。

目前慧荣科技推出了两款专门为3DTLCNAND及NVMePCLeSSD设计的为新一代控制芯片的解决方案，应运而生的SM258及SM260，SM2258支持目前的2D/3DTLCNAND及SATA接口，遵循NVMePCLe标准，支持3DMLC/TLC的SSD控制芯片超过了SATA的6gb/s及SAS的12GB/S的传输带宽限制，大大的突破了传统产品的限制，提升了读写存储的高效能运转能力。

慧荣科技“产品经理”黄莨展先生，媒体见面会

在展示中我们可以了解到，SM2260是8通道设计最高可以支持2TB容量，搭配3DNAND的NVMePCLe具有高速的传输效率，而且SM258及SM260的读写速率分别达到了2370MB和1039MB,这样一个高强度的读写速率在业界里是非常少见的，而且也会给用户带来非常快速迅捷的工作效率，无论是企业服务，还是个人玩家，这都将是一个惊人的消息。

相比传统的BCHECC算法，LDPC拥有更高的纠错效能，同时使用超低的功率，黄莨展先生特别提到了一点三维解错修正技术，是目前独家研发的具有“正反方向”的修正解错技术，具有减少纠错时间，消耗更少的功率，使SSD运行效率更快更准确，据黄莨展先生向媒体透漏未来慧荣科技将在技术革新领域做带头人，不断在研究探索迈进，预计明年下半年将要推出SSD读取速度要向3GB迈进，这不得不说这真是一个天大的好消息。

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