(原标题:传联发科Helio X30或年底发:10nm+10核)
北京时间11月3日消息,台积电联合CEO刘德音早前曾表示,按照计划10nm新品会在2017年第一季度出货。现在最新消息显示,10nm工艺制成的产品来的可能更快写,即年底按就能出货。
消息人士透露,联发科首颗10nm芯片Helio X30定于年底量产亮相。据了解,联发科Helio X30早在今年9月就发布。其CPU架构为两个Cortex-A73 2.8GHz、四个Cortex-A53 2.3GHz、四个Cortex-A35 2.0GHz十核心,GPU使用PowerVR 7XTP,四核心,820MHz,支持最高2K分辨率、UFS 2.1闪存、最高8GB 四组16-bit LPDDR4X内存。
另外,联发科COO朱尚祖透露,Helio X30将采用台积电10nm工艺,基带支持3载波聚合,Cat.10-Cat.12的全网通,GPU方案抛弃了ARM Mali,而是来自imagination的PowerVR。
其实除了联发科的10nm芯片Helio X30,三星自家的10nm芯片也在进行紧张的准备工作。三星10月份宣布,正式开始10nm FinFET工艺SoC芯片的量产工作,而且明年初会正式发布首款消费级的10nm FinFET芯片,即Exynos 8895。
三星给出的数据,相较14nm工艺,10nm晶体管面积效率提升30%,性能提升27%,功耗降低40%。