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（原标题：东芝存储：3D NAND堆叠或将突破200层）
近日，东芝存储器事业副社长成毛康雄在“SEMICON Japan 2016”（东京有明国际会展中心）半导体高端论坛上表示，“未来3D闪存需要挑战200层堆叠”。
成毛康雄还介绍了3D闪存目前的情况和未来战略规划，对比15nm工艺2D NAND（二维闪存），东芝投入生产的48层TLC 3D NAND（BiCS FLASH），3D NAND单位存储密度可达到256Gbit，而15nm工艺2D NAND仅为128Gbit，而且很难向256Gbit提升，相比之下，3D NAND较2D NAND就有更高的容量优势，可靠性（擦写次数）可提升约10倍，性能（读写速度）可提高至约两倍，功耗可降至约一半。东芝打算运用3D NAND的这些优点，开拓数据中心用SSD等要求容量大、可靠性高的市场和用途。
东芝已从2016年7月推出基于64层3D NAND（256Gbit产品）样品，后期还将把存储容量提高至512Gbit。成毛康雄表示，“对3D NAND量产非常有信心，2017年将供应部分64层堆叠3D NAND Bits”
东芝致力于高集成化和低成本创新技术，成毛康雄表示，随着3D技术进一步发展，会推进100层堆叠，未来目标是提到200层。随着堆叠数量的増加，3D NAND容量将进一步提升，东芝将致力于芯片尺寸薄型化发展。
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本文来源：中关村在线
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王晓易_NE0011
