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倍思氮化镓和普通快充的区别有哪些？以GaN6 Pro 45W为例

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IN核科技 2024-12-05

GAN作者追忆：论文是DDL前一周开始写的，最初在NeurIPS无人问津

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机器之心Pro 2024-12-05

苏州华太申请 GaN 功率放大器内匹配设计专利，缩短仿真周期

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金融界 2024-12-05

润新微电子取得一种共源共栅结构GaN器件及其制备方法专利

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金融界 2024-12-04

江西兆驰半导体申请高光效 Micro-LED 外延片及其制备方法等专利，可提升发光效率

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金融界 2024-12-02

无锡硅动力取得高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路专利

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金融界 2024-11-30

江苏镓宏取得增强型GaN HEMT器件制备方法及其结构专利

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金融界 2024-11-30

将GaN裸片嵌入到PCB中

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半导体行业观察 2024-11-30

芯梦达半导体科技（济南）有限公司取得GaN器件开关速度的评估方法及系统专利

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金融界 2024-11-29

姚威振：新型MOCVD反应器设计，促进GaN材料创新发展

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新浪财经 2024-11-28

重庆嘉陵全域机动车辆申请基于Attentive GAN的图像去雨滴专利，在依赖纯视觉的自动驾驶感知中能够去除图像雨滴并获得高分辨率的无雨滴清晰图像

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金融界 2024-11-28

港祥辉电子取得一种凹槽型 GaN MIS-HEMT 纵向器件专利

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金融界 2024-11-27

成都华大九天取得一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法专利

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金融界 2024-11-27

华北电力取得基于GAN处理不平衡数据的线变关系识别方法专利

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金融界 2024-11-27

中镓半导体申请 GaN 单晶衬底的 HEMT 外延结构和外延方法专利，调控外延生长获得更优异结构

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金融界 2024-11-22

华能澜沧江水电申请基于时空大模型联合GAN网络的水轮机机组异常检测方法专利，能实现水轮机机组异常检测效果好

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金融界 2024-11-22

合封氮化镓功率芯片市场投资动态与应用前景研究报告2025-2031版

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认真对待每一篇 2024-11-19

2699元起 ROG THOR雷神III 1200/1000W电源上架：引入GaN氮化镓

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快科技 2024-11-15

倍思氮化镓和普通快充差距显著，进一步提升消费者充电体验

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商讯 2024-11-15

成都屿西半导体取得一种 X 波段高压大功率 GaN MMIC 功率放大器专利

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金融界 2024-11-13

小米推出 90W GaN 三口充电器套售价 199 元

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IT之家 2024-11-13

北京晨晶电子申请基于GaN单片集成的二倍频器、驱动源专利，有效缩短电路长度

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金融界 2024-11-12

唯样代理|英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术

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雨初1235 2024-11-10

新时代！英诺赛科推动第三代半导体材料氮化镓迈向新高度

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超级媒介平台 2024-11-10

富特科技：主攻车载与非车载高压电源系统市场，已启动GaN半导体器件应用预研工作

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金融界 2024-11-07

倍思GaN6 Pro 45W：一文看懂手机快充头哪个牌子好

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小鹏科技世界 2024-11-07

倍思搭载 PI 芯片方案，推出 45W 超小氮化镓快充充电器 GaN6 Pro

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充电头网 2024-11-07

宜普电源转换公司取得基于 GaN 的可调电流驱动器电路专利

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金融界 2024-11-06

江苏能华取得掺铁GaN缓冲层和GaN微波功率器件的外延生长方法专利

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金融界 2024-11-05

深圳市港祥辉电子申请纵向常关型 GaN 复合型 JFET 器件及其制备方法专利，实现低驱动损耗和快速的开关速度

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金融界 2024-11-04

江西兆驰半导体申请发光二极管外延片及其制备方法、LED专利，提升发光二极管的发光效率

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金融界 2024-11-04

中国氮化镓充电器（GaN快充）行业前景规划及投资机遇研究报告

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牛奶咖啡下午茶 2024-10-31

产能增加400%，一半导体工厂投产

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全球半导体观察 2024-10-29

德州仪器增加GaN制造投入，自有制造产能提升至原来的四倍

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全球TMT 2024-10-29

华大九天申请 GaN 2DEG 电阻模型精确提取方法专利，有效精确地提取 GaN 接入区的 2DEG 电阻模型

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金融界 2024-10-28

德州仪器扩大氮化镓半导体自有制造规模，产能提升至原来的四倍

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美通社PRNewswire 2024-10-28

SiC和GaN，势头不减

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半导体行业观察 2024-10-28

湖南大学研发高亮Micro-LED，具有晶圆级均匀硅基GaN外延层

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新浪XR 2024-10-26

整体产能达以往四倍，德州仪器日本会津工厂开产 GaN 功率半导体

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IT之家 2024-10-26

TI发力GaN，产能增四倍

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半导体行业观察 2024-10-26

陕西凌云电器集团申请GaN功率管相关专利，提高GaN功率管工作的可靠性和稳定性

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金融界 2024-10-22

深圳市港祥辉电子申请凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件专利，显著提高栅极的绝缘性能，减少漏电流

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金融界 2024-10-22

湖南三安半导体申请 GaN-HEMT 器件及其制备方法专利，降低栅极漏电的风险

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金融界 2024-10-22

聚灿光电申请 GaN 发光二极管制备专利，解决芯片断裂隐患

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金融界 2024-10-22

江西兆驰 semiconductor 申请发光二极管外延片及其制备方法、LED 专利，提高发光二极管出光效率

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金融界 2024-10-22

江西兆驰半导体申请发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管专利，可提升发光二极管的发光效率

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金融界 2024-10-18

江西兆驰半导体申请用于Micro-LED的外延片及其制备方法、Micro-LED专利，提升Micro-LED的光效

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金融界 2024-10-18

日本大厂，争霸汽车GaN

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半导体行业观察 2024-10-18

罗姆宣布将全面委托台积电代工GaN产品

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芯智讯 2024-10-09

抢攻GaN功率半导体，ROHM加强和台积电合作

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十轮网 2024-10-09
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