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充电头网 2025-05-09

江西兆驰半导体申请发光二极管芯片专利，避免炸伤 GaN 外延层

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金融界 2025-05-07

安芯电子申请基于闪烁噪声快速提取GaN HEMT器件接触电阻的方法和系统专利，操作方便快捷

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金融界 2025-05-07

意法半导体国际公司申请单片式 p-GaN 集成电路上的常开 GaN HEMT 集成专利，使处理的 p‑GaN 栅极中的 Mg 失活并耗尽这个 p‑GaN...

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金融界 2025-05-07

意法半导体申请 GaN 器件的背势垒集成方案专利，改进氮化镓功率器件

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金融界 2025-05-06

中镓半导体申请 GaN 厚膜生长载盘及制备方法专利，提高大厚度氮化镓晶片晶体质量一致性

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金融界 2025-05-06

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金融界 2025-05-06

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金融界 2025-05-05

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金融界 2025-05-03

電機・精密機器半導体開発会社｜LED半導体開発，月給66万円～125万円

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七联就职 2025-04-30

厦门大学及新镓能申请增强型GaN HEMT器件及其制备方法专利，提高器件性能

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金融界 2025-04-29

第三代半导体材料：氮化镓

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小波股事历程 2025-04-28

佛山市国星半导体技术有限公司取得抗水解的GaN外延结构及其制作方法和芯片专利

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金融界 2025-04-28

苏州晶湛半导体取得 LED 结构及其 GaN 基衬底相关专利

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金融界 2025-04-28

广西云芯申请GaN HEMT芯片的封装方法及封装结构专利，提高GaN HEMT器件的防潮性能和绝缘性能

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金融界 2025-04-26

湖南炬神电子申请小体积GaN二合一电源充电器专利，有效减小二合一电源体积

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金融界 2025-04-26

晶湛半导体取得 LED 结构及其 GaN 基衬底、GaN 基衬底的制作方法专利

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金融界 2025-04-25

国星半导体取得抗水解的 GaN 外延结构及其制作方法和芯片专利

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金融界 2025-04-25

京东方华灿光电申请晶体管制作方法专利，实现半导体领域创新

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金融界 2025-04-24

厦门市三安集成电路取得一种GaN基晶体管及其制作方法和应用专利

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金融界 2025-04-19

南京矽力申请 GaN HEMT 器件及制备方法专利，提高散热效率

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金融界 2025-04-19

扬杰科技获得发明专利授权：“一种Si基GaN-HEMT器件的制备方法”

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证券之星 2025-04-19

江西兆驰半导体取得 GaN 基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管专利

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金融界 2025-04-18

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金融界 2025-04-18

扬杰电子取得一种Si基GaN-HEMT器件的制备方法专利

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金融界 2025-04-18

西安众力为半导体申请GaN HEMT器件宽温条件下动态工作寿命试验装置及方法专利，可实现高低温动态可靠性测试

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金融界 2025-04-17

南京国兆光电取得应用于倒装晶圆制备的 n-GaN 表面粗化方法及应用专利

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金融界 2025-04-16

上海鸿劢电子科技取得一种GaN功率器件专利

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金融界 2025-04-16

英诺赛科(02577.HK)发布自主开发的1200V氮化镓(GaN)产品

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安徽帕维尔智能技术取得基于GaN芯片的紫外探测器及其制备方法专利

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英诺赛科（02577.HK）4月8日收盘上涨12.7%，成交4286.9万港元

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普瑞光电申请 GaN 基发光二极管外延片及其制备方法专利，有效提高发光效率和可靠性

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闻泰科技：GaN产品已在消费电子快充、新能源微型逆变器等领域量产交付

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上海芯导申请一种GaN HEMT器件及其制备方法专利，解决现有器件栅极相关问题

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厦门市三安集成电路有限公司取得 GaN 器件的防护结构及其制作方法专利

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