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氮化镓

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GaN被誉为继第一代Ge、Si半导体材料，第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。随着技术的进步 [更多]
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